【聯合新聞網／記者楊又肇／報導】
先前預告將從2.5D結構進展至3D結構技術後，三星目前也宣布首批採用3D結構技術生產的Vertical NAND Flash產品已經正式出貨，將能使更小的硬體設備置入更高的儲存空間，同時在資料儲存可靠性提昇2-10倍，同時寫入速度也提升為2倍。
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根據三星表示，先前預告採用3D結構技術生產的Vertical NAND Flash產品，目前首批生產16GB儲存容量規格已經正式出貨，未來將應用於更小型裝置作為儲存元件，同時也將能使現有產品設計納入更大的儲存空間。至於在資料儲存可靠性，將根據不同容量規格提昇2-10倍，同時寫入速度也將提升為2倍。
不過，三星並未透露首波應用此款Vertical NAND Flash產品合作廠商，但估計將會應用於旗下Galaxy系列或SSD系列產品，未來也將持續提供更大儲存容量規格。
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※相關連結》
‧Samsung Starts Mass Producing Industry's First 3D Vertical NAND Flash (三星官方新聞稿)
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